Compact Modeling Workshop课件下载

本次workshop是应该算是我们中国模型界的第一次相聚，有来自科研部门,学校, 半导体厂, 设计公司等50多个人员参加. 这个是一个良好的开始，期待我们再次相聚。我们将不断改进和完善我们培训形式与内容，将更多的国外顶尖专家，优势的培训课程介绍到中国，让更多的中国企业，大学及研究机构相关人员受益。

相关下载：

6.12 Compact Modeling Workshop 课件6

6.12 Compact Modeling Workshop 课件5

6.12 Compact Modeling Workshop 课件4

6.12 Compact Modeling Workshop 课件3

6.12 Compact Modeling Workshop 课件2

6.12 Compact Modeling Workshop 课件1

RFIT研讨会系列之---高级射频集成电路设计培训课程

 Advanced RFIC Design

  2014年8月26-30日，举办的高级射频集成电路培训课程，届时RFIC设计领域的3位权威教授：Prof. Thomas H. Lee、Prof. C. Patrick Yue、Prof. Asad A. Abidi分别在上海合肥给我们带来了精彩的RFIC设计培训课程。

“Willy Sansen教授高级模拟集成电路设计”培训课程

（一）上课时间：2013年11月14日-16日（周四-周六，3天)

（二）上课地点：复旦大学微电子学院张江校区行政楼报告厅（上海浦东新区张江高科技园区张衡路825号）

本课程属于模拟集成电路设计高级课程，适合具有一定基础的学员：偏重设计中的实际问题，在《模拟电路设计》教材（Analog Design by Willy Sansen）中精选12个最受学员欢迎的章节，具体内容包括：

General:

04. Noise performance of elementary transistor stages

Amplifiers:

05. Stability of operational amplifiers

06. Systematic design of operational amplifiers

09. Design of multistage operational amplifiers

13. Feedback: Voltage and transconductance amplifiers

14. Feedback: Transimpedance and current amplifiers

15. Offset and CMRR; random and systematic

16. Bandgap and current reference circuits

AD/DA:

25. Low-power Sigma-Delta AD converters

26. High-Speed AD and Sigma-Delta converters

Communications circuits:

29. Design of crystal oscillators

32. High speed synthesizers and PLLs

活动现场: 

http://www.ictc.org.cn/index.php/Client/index/id/1

射频集成电路设计培训

  2014年11月7-8号，在上海集成电路技术与产业促进中心（ICC），为期2天的”CMOS射频电路设计-CMOS RFIC Transceiver Design”的课程圆满结束。来自香港科技大学的教授Howard Luong为我们带来精彩的课程，本次课程教授比较系统从 RF basics、Transceuver Architecture，Passive，LNAs，Mixers，PLL，Synthesizer Architecture，VCOs， Frequency Dividers,PA,以及到Case Studies，将的比较系统全面。在这两天的课程中，来学员们都积极与教授互动，抓住难得的面对面的交流机会，探讨工作中遇到的一些问题

ESD 设计培训(6th, May, 2015)

  2015年5月6号，在上海集成电路技术与产业促进中心（ICC），为期1天的” Advanced ESD design for integrated circuits" 的课程圆满结束。来自比利时SOFICS 公司BART KEPPENS 先生为我们带来精彩的课程.SOFICS, 作为欧洲ESD和EOS 领域的资深企业, 早已成为TSMC IP中心, 设计中心的联盟成员, 也是UMC的合作伙伴, ESD IP覆盖一直到了28nm的先进工艺制程. 与此同时, 在新的工艺平台SOI, 3D-IC, FINFETs方面,也提出了创新的ESD解决方案.  这次5月6日的课程主要涵盖了在先进工艺平台方面, 高速电路, 无线射频界面,特别耐高压等设计方面, 以及在特殊环境应用领域的汽车电子, 工业产品方面的ESD问题探讨和设计培训. 通过这个课程, 让客户更清楚得了解在高密度, 小型化, 复杂功能电子设备设计的背景下, 如何实现减少ESD 设计面积, 设计时间,提高IC 性能和完成苛刻的ESD/ LATCH-UP, EOS等各项指标的要求.

第二届中国紧凑模型研讨会 (10^th, June, 2015)

Development of High Performance Monolithic Spiral  Inductive Devices: from the Layout Design to the Model

Dr. Raphael Valentin, XYTECH Consulting Founder&Technical Director

Modeling of Transistors in CMOS Radio Frequency and Microwave Integrated Circuits

Prof. Yan Wang， Tsinghua University

Simulation and Analysis of Single‐Event Effects and Soft Errors

Dr. Shen Chen， CTO of Cogenda

PSPSOI Model solution for RF‐SOI Technology

Sunny Zhang,Department Manager of HHGrace

Advanced RF Device Modelling cum IC Validation

Prof. Fujiang Lin，University of Science and Technology of China

S‐parameter and Non‐linear RF modeling

Dr. Franz Sischka, CEO of Sisconsult & XMOD consultant

Device Measurement and Verification (11-12th ,June 2015)

By Dr. Franz Sischka, CEO of Sisconsult & XMOD consultant

Theme 1: DC Measurements

• Challenges

• Data Verification

Theme 2: CV Measurements

• Applying LCRZ Meters

Theme 3: S‐Parameter Measurements

• Direct Interpretation of S‐Parameter Measurements

• Guide for Verified S‐Parameter Measurements

Theme 4: 1/f Noise

• Measurements and Data Verification

Theme 5: Parameter Extraction Techniques

• Regression Analysis

• Visual Parameter Extraction

Theme 6: Fundamentals of Device Modeling

• Diode (DC ‐> CV ‐> S‐parameter ‐> nonlinear RF)

• HEMT Transistor Modeling (Angelov)

• Passive Device Modeling: model development

• based on measurement results