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III-V 特殊工艺
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SMIC:




0.25μm:  中芯的0.25微米技术能实现芯片的高性能和低功率，适用于高端图形处理器、微处理器、通讯及计算机数据处理芯片。 我们同时提供0.25微米逻辑电路和3.3V和5V应用的混合信号/CMOS射频电路
特点:
1. 输入输出接口 ：2.5V、3.3V或5V
2. 1P5M（铝）制程
3. 浅沟隔离
4. 混合信号：深 N-井技术,多种Vt MOSFET，高电阻多晶硅，MiM电容器，厚金属电感器


0.18μm:中芯的0.18微米为消费性、通讯和计算机等多种产品应用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳选择。此外，它也在嵌入式内存、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供灵活性的解决方案及模拟。
　　此工艺采用 1P6M（铝）制程，特点是每平方毫米的多晶硅门电路集成度高达 100,000 门以及有 1.8V、3.3V 和 5V 三种不同电压，供客户选择。
　　中芯国际在 0.18 微米技术节点上可提供低成本、经验证的智能卡、消费电子产品以及其它广泛的应用类产品。我们的 0.18 微米工艺技术包括逻辑、混合信号 / 射频、高压、电可擦除只读存储器以及一次可编程技术等。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。
嵌入式高密度内存
　　为满足客户在SoC设计中对内存的要求，中芯与正一科技（MoSys）一起为客户提供0.18微米的1T静态内存。此技术可实现与同制程6T静态内存相似的性能及两倍于同制程DDR动态内存的性能, 并能提高常规6T静态内存存储密度达100%。另外，若和传统的静态内存技术相比较，它可以降低四倍功耗，因而成为SoC设计中最理想的嵌入式高密度内存。
特点:
1. 核心组件 ：标准制程(G)、或低漏电(LL)
2. 输入输出接口 ：3.3V 或 5V
3. 1P6M（铝）制程
4. 混合信号 ：深 N-井技术,多种Vt MOSFET，高电阻多晶硅，MiM电容器，厚金属电感器



0.13μm/0.11μm:和0.15微米器件的制程技术相比，中芯的0.13微米工艺能使芯片面积缩小25%以上，性能提高约30%。与0.18微米制程技术比较，芯片面积更可缩小超过50%，而其性能也提高超过50%。
　　中芯的0.13微米制程采用全铜制程技术，从而在达到高性能设备的同时，实现成本的优化。中芯的 0.13 微米技术工艺使用 8 层金属层宽度仅为 80 纳米的门电路，能够制作核心电压为 1.2V 以及输入 / 输出电压为 2.5V 或 3.3V的组件。我们的高速、低电压和低漏电制程产品已在广泛生产中。
　　我们通过标准单元库供应伙伴，提供0.13微米的单元库，内存编译器，输入输出接口和智能模块的讯。
特点:
1. 输入输出接口 ：2.5V或3.3V
2. 1P8M，Cu 和 FSG 工艺
3. 混合信号 ：深 N-井技术, 多种Vt MOSFET, 高电阻多晶硅，MiM 电容器，厚金属电感器
0.13微米工艺组件选择
标准工艺组件选择 0.13μm低漏电器件
(1.5V)		 0.13μm高性能通用器件
(1.2V)
核心器件 高阈值电压 √
标准阈值电压 √ √
低阈值电压 √
输入输出器件 2.5V √
3.3V √ √
内存
(缩小之前)		 单端静态内存
(2.43μm2)		 √ √
单端静态内存
(2.14μm2)		 √ √
单端静态内存
(2.03μm2)		 √

0.11微米工艺组件选择
标准工艺组件选择 0.11μm低漏电器件
(1.2V)		 0.11μm高性能通用器件
(1.2V)
核心器件 高阈值电压 √
标准阈值电压 √
低阈值电压 √
输入输出器件 2.5V √
3.3V √
内存
(缩小之前)		 单端静态内存
(2.43μm2)		 √
单端静态内存
(2.14μm2)
单端静态内存
(2.03μm2)		 √



90nm:中芯国际的300毫米晶圆厂已有多个90纳米工艺的产品进入大规模的生产，中芯国际拥有丰富的制程开发经验，可向全球客户提供先进的90纳米技术。中芯90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术，生产高性能的元器件。利用先进的12英寸生产线进行90纳米工艺的生产能确保成本的优化，为客户未来技术的提升提供附加的资源。同时，中芯90纳米技术可以满足多种应用产品如无线电话，数字电视，机顶盒，移动电视，个人多媒体产品，无线网络接入及个人计算机应用芯片等对低能耗，卓越性能及高集成度的要求，此外，我们的90纳米技术可以为客户量身定做， 达到各种设计要求，包括高速，低耗，混合信号，射频以及嵌入式和系统集成等方案。
　　在90纳米技术上，中芯向客户提供生产优化的方案，以期竭尽所能地为客户产品的性能的提升，良率的改善和可靠性的保证提供帮助。对于90纳米相关的单元库，IP及输入/输出接口等可通过我司的合作伙伴获得。
　　我们通过标准单元库供应伙伴，提供0.13微米的单元库，内存编译器，输入输出接口和智能模块的讯。
特点:
1. 核心组件电压：1.0V 到 1.2V
2. 多样化的MOS组件开启电压
3. 输入/输出电压：1.8V, 2.5V 或3.3V
4. 1P9M，采用Low-k电介质材料(3.0)的铜互连工艺
5. 混合信号/射频：深N井技术，多种电压的MOSFET器件，高电阻多晶硅，MIM电容器，厚金属感应器，变容二极管，CMOS射频器件
90纳米工艺组件选择
标准工艺组件选择 90 nm低漏电器件
(1.2V)		 90 nm高性能通用器件
(1.0V)
核心器件 高阈值电压 √ √
标准阈值电压 √ √
低阈值电压 √ √
输入输出器件 1.8V √ √
2.5V √ √
2.5V 过载 3.3V √ √
3.3V √ √
内存
(缩小之前)		 单端静态内存
(0.999μm2)		 √ √
双端静态内存
(1.994μm2)		 √ √



65nm/55nm:中芯65和55纳米逻辑技术具有高性能，节能的优势,并实现先进技术成本的优化及设计成功的可能性。 此65和55纳米技术的工艺元件选择包含低漏电和高性能通用器件的平台。此两种技术平台都提供三种阈值电压的元件以及输入 / 输出电压为1.8V 或 2.5V的元件，而型成一個彈性的製程設計平台。此技术的设计规则,规格及SPICE模型已完备。65纳米重要的单元库已完备，55纳米低漏电技术的标准单元库正在开发中。
特点:
1. 核心元件电压：1.0V 到 1.2V
2. 输入/输出电压：1.8V 或 2.5V
3. 低 k介质(3.0)和 Cu的后端互连集成技术
4. 镍化硅制程
65纳米工艺元件选择
标准工艺元件选择 65nm低漏电器件
(1.2V)		 65nm高性能通用器件
(1.0V)
核心器件 高阈值电压 √ √
标准阈值电压 √ √
低阈值电压 √ √
输入输出器件 1.8V √ √
2.5V √ √
2.5V 超载 3.3V √ √
2.5V 低载 1.8V √ √
3.3V √ √
内存 单端高密度静态内存
(0.525μm2)		 √ √
单端高性能静态内存
(0.620μm2)		 √ √
双端高密度静态内存
(0.974μm2)		 √ √
双端高性能静态内存
(1.158μm2)		 √ √

55纳米工艺组件选择
标准工艺组件选择 55 nm低漏电器件
(1.2V)		 55 nm高性能通用器件
(1.0V)
核心器件 HVt √ √
SVt √ √
LVt √ √
输入输出器件 1.8V √ √
2.5V √ √
2.5V 超载 3.3V √ √
2.5V 低载 1.8V √ √
3.3V √ √
内存 单端高密度静态内存
(0.425μm2)		 √ √
单端高性能静态内存
(0.502μm2)		 √ √
双端高密度静态内存
(0.789μm2)		 √ √
双端高性能静态内存
(0.938μm2)		 √ √



40nm:中芯国际是中国大陆第一家提供40纳米技术的晶圆厂。40纳米标准逻辑制程提供低功耗(LL)器件平台，核心组件电压1.1V，涵盖三种不同阈值电压，以及输入/输出组件 1.8V、2.5V和3.3V电压以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术，应力技术，超浅结技术以及超低介电常数介质。此技术实现了高性能和低功耗的完美融合，适用于所有高性能和低功率的应用，如手机基带及应用处理器，平板电脑多媒体应用处理器，高清晰视频处理器以及其它消费和通信设备芯片。
特点:
1. 核心组件电压：1.1V (LL)
2. 具三种不同阈值电压的核心组件易于设计优化
3. 输入/输出组件电压：1.8V、2.5V和3.3V
4. 单埠及双端口SRAM存储单元,并提供内存编译器
5. 关键层的193纳米浸润式微影技术
6. 提高迁移率的应力技术
7. 形成超浅接的毫秒级退火
8. 1P10M，采用Low-k超低电介质材料(2.7)的铜互连工艺
9. 焊线及覆晶选项
40纳米工艺组件选择
标准工艺组件选择 40nm低漏电器件
(1.1V)
核心器件 高阈值电压 √
标准阈值电压 √
低阈值电压 √
输入输出器件 1.8V √
2.5V √
2.5V 超载 3.3V √
2.5V 低载 1.8V √
内存 单端高密度静态存储器
(0.242μm2)		 √
单端高性能静态存储器
(0.303μm2)		 √
双端高密度静态存储器
(0.477μm2)		 √
双端高性能静态存储器
(0.600μm2)		 √